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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDS4559_F085 Datasheet 文档
FDS4559_F085
器件3D模型
0.976
FDS4559_F085 数据手册 (10 页)
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FDS4559_F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
通道数
2 Channel
极性
N+P
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
4.5A/3.5A
输入电容值(Ciss)
650pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

FDS4559_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.575 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

FDS4559_F085 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.4 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.37 MByte

FDS4559 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4559  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4559, 3.5 A,4.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4559_F085, 3.5 A,4.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8
Fairchild(飞兆/仙童)
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