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FDS4897C
器件3D模型
1
FDS4897C 数据手册 (8 页)
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FDS4897C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.021 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
6.2A/4.4A
输入电容值(Ciss)
760pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

FDS4897C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS4897C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.25 MByte

FDS4897 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897AC  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.2 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4897C, 4.4 A,6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS4897AC, 5.2 A,6.1 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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