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FDS6672A
器件3D模型
1.53
FDS6672A 数据手册 (5 页)
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FDS6672A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
12.5 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
6.80 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
输入电容
5.07 nF
栅电荷
33.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.5 A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
5070pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
28 ns
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

FDS6672A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS6672A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte

FDS6672 数据手册

Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
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