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FDS6673AZ
器件3D模型
0.384
FDS6673AZ 数据手册 (5 页)
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FDS6673AZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-14.5 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
6.00 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.5W (Ta)
输入电容
4.48 nF
栅电荷
84.0 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
14.5 A
上升时间
8.00 ns
输入电容值(Ciss)
4480pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

FDS6673AZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDS6673AZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.14 MByte

FDS6673 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6673BZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
FDS6673BZ 系列 P 沟道 30 V 7.8 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Fairchild(飞兆/仙童)
30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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