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FDT434P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

FDT434P 系列 20 V 0.05 Ohm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDT434P 数据手册 (7 页)

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FDT434P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

40 mΩ

功耗

3 W

阈值电压

600 mV

输入电容

1187 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1187pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

FDT434P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

6.5 mm

宽度

3.56 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDT434P 符合标准

FDT434P 概述

FDT434P 数据手册

FDT434P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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5 页 / 0.22 MByte

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