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FDT439N 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDT439N, 6.3 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDT439N 数据手册 (6 页)

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FDT439N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.038 Ω

功耗

3 W

阈值电压

670 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

500pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

FDT439N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.56 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDT439N 符合标准

FDT439N 概述

FDT439N 数据手册

FDT439N 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.27 MByte

FDT439N 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.14 MByte

FDT439N 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.54 MByte

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