￥ 0.692

FDT439N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT439N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 670 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDT439N 数据手册 (6 页)

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FDT439N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

6.30 A

封装

TO-261-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.038 Ω

极性

N-Channel

功耗

3 W

阈值电压

670 mV

输入电容

500 pF

栅电荷

10.7 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

6.30 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

500pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3W (Ta)

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FDT439N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.56 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDT439N 符合标准

FDT439N 海关信息