￥ 1.069

FDT86102LZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86102LZ, 6.6 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDT86102LZ 数据手册 (6 页)

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FDT86102LZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

1.9 ns

输入电容值(Ciss)

1118pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

2.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.2 W

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FDT86102LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.7 mm

宽度

6.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDT86102LZ 符合标准

FDT86102LZ 概述

FDT86102LZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.24 MByte

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