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FDT86256 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86256, 3 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDT86256 数据手册 (6 页)

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FDT86256 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.695 Ω

功耗

10 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

150 V

上升时间

1.7 ns

输入电容值(Ciss)

55pF @75V(Vds)

下降时间

2.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

10 W

FDT86256 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDT86256 符合标准

FDT86256 概述

FDT86256 数据手册

FDT86256 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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