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FDU6512A
0.247
FDU6512A 数据手册 (5 页)
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FDU6512A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
36.0 A
封装
TO-251-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
16 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.8 W
输入电容
1.08 nF
栅电荷
12.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
36.0 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
1082pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.6 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 43W (Tc)

FDU6512A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDU6512A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.07 MByte

FDU6512 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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