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FDU6N50TU
0.548
FDU6N50TU 数据手册 (9 页)
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FDU6N50TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
极性
N-CH
功耗
89 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
6A
上升时间
55 ns
输入电容值(Ciss)
940pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
89 W
下降时间
35 ns
耗散功率(Max)
89W (Tc)

FDU6N50TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDU6N50TU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.44 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.9 MByte

FDU6N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET 500V , 5.5A , 1.15ヘ N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ
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