器件3D模型

￥ 0.118

FDZ191P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

WLCSP-6

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, -20V, -3A, WL-CSP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDZ191P 数据手册 (2 页)

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FDZ191P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

WLCSP-6

功耗

1.9 W

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

800pF @10V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1900 mW

FDZ191P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDZ191P 符合标准

FDZ191P 概述

FDZ191P 数据手册

FDZ191P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.13 MByte

FDZ191P 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.24 MByte

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