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FDZ193P
器件3D模型
0.22
FDZ193P 数据手册 (7 页)
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FDZ193P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
WLCSP-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.066 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.9 W
输入电容
660 pF
栅电荷
10.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
-3.00 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.9W (Ta)

FDZ193P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1 mm
宽度
1.5 mm
高度
0.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDZ193P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.27 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDZ193 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDZ193P  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -20 V, 66 mohm, -4.5 V, -900 mV
ON Semiconductor(安森美)
场效应管, MOSFET, P沟道, 20V, 3A, 8-WLCSP
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