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FF200R06KE3HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

AG-62MM-1

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FF200R06KE3HOSA1 数据手册 (8 页)

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FF200R06KE3HOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

AG-62MM-1

功耗

680 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

680 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

680000 mW

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FF200R06KE3HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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FF200R06KE3HOSA1 符合标准

FF200R06KE3HOSA1 概述

FF200R06KE3HOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.45 MByte

FF200R06KE3HOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FF200R06KE3HOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FF200R06KE3HOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FF200R06KE3HOSA1 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.29 MByte

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