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FF600R07ME4B11BOSA1
217.382
FF600R07ME4B11BOSA1 数据手册 (1 页)
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FF600R07ME4B11BOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
11 Pin
封装
AG-ECONOD-4
功耗
1.8 kW
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
输入电容值(Cies)
37nF @25V
额定功率(Max)
1800 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1800000 mW

FF600R07ME4B11BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FF600R07ME4B11BOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte

FF600R07ME4B11 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module
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