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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > FF600R17ME4BOSA1 Datasheet 文档
FF600R17ME4BOSA1
90.882

FF600R17ME4BOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
11 Pin
封装
AG-ECONOD-5
击穿电压(集电极-发射极)
1700 V
输入电容值(Cies)
48nF @25V
工作温度(Max)
150 ℃

FF600R17ME4BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FF600R17ME4BOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 5.44 MByte

FF600R17ME4 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
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