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FF650R17IE4BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

PRIME2-1

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FF650R17IE4BOSA1 数据手册 (10 页)

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FF650R17IE4BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

10 Pin

封装

PRIME2-1

功耗

4.15 kW

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

输入电容值(Cies)

54nF @25V

额定功率(Max)

4150 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

4150000 mW

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FF650R17IE4BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FF650R17IE4BOSA1 符合标准

FF650R17IE4BOSA1 概述

FF650R17IE4BOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

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