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FF650R17IE4D_B2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

PRIME-2

描述:

INFINEON FF650R17IE4D_B2 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FF650R17IE4D_B2 数据手册 (10 页)

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FF650R17IE4D_B2 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

10 Pin

封装

PRIME-2

针脚数

10 Position

极性

N-Channel

功耗

4.15 kW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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FF650R17IE4D_B2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FF650R17IE4D_B2 符合标准

FF650R17IE4D_B2 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 1.7 MByte

FF650R17IE4D_B2 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FF650R17IE4D_B2 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FF650R17IE4D_B2 开发手册

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40 页 / 6.73 MByte

FF650R17IE4D_B2 产品修订记录

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1 页 / 0.13 MByte

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