￥ 158.3

FF6MR12W2M1B11BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

AG-EASY2BM-2

描述:

晶体管, MOSFET, 双N沟道, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, 15 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FF6MR12W2M1B11BOMA1 数据手册

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FF6MR12W2M1B11BOMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

AG-EASY2BM-2

漏源极电阻

0.00563 Ω

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

1200 V

上升时间

18.7 ns

输入电容值(Ciss)

14700pF @800V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

FF6MR12W2M1B11BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

FF6MR12W2M1B11BOMA1 符合标准

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Infineon（英飞凌）

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FF6MR12W2M1B11 数据手册

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Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, 双N沟道, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, 15 V, 4.5 V

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