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FGA20N120FTDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-3-3

描述:

ON Semiconductor FGA20N120FTDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FGA20N120FTDTU 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

FGA20N120FTDTU 数据手册 (9 页)

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FGA20N120FTDTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

功耗

298000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

447 ns

额定功率(Max)

298 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

298000 mW

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FGA20N120FTDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

18.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FGA20N120FTDTU 符合标准

FGA20N120FTDTU 海关信息

FGA20N120FTDTU 概述

FGA20N120FTDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.28 MByte

FGA20N120FTDTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.57 MByte

FGA20N120FTDTU 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.62 MByte

FGA20N120FTDTU 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

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