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FGA40T65UQDF
1.9
FGA40T65UQDF 数据手册 (11 页)
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FGA40T65UQDF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-3-3
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
反向恢复时间
89 ns
额定功率(Max)
231 W

FGA40T65UQDF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FGA40T65UQDF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.81 MByte

FGA40T65 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
FGA40T65SHD: IGBT,650 V,40A,场截止沟槽
ON Semiconductor(安森美)
沟槽场截止 268W 650V 80A
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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