FGB3040CS 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

IGBT 分立，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

ON Semiconductor FGB3040CS N沟道 IGBT, 21 A, Vce=430 V, 6引脚 D2PAK (TO-263)封装

ON Semiconductor FGB3040G2_F085 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=400 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

IGBT，Fairchild Semiconductor这些** EcoSPARK2** IGBT 设备经过优化，可用于驱动汽车点火线圈。 它们经过应力测试，符合 AEC-Q101 标准。逻辑电平栅极驱动 ESD 保护 应用：汽车点火线圈驱动器电路、线圈式火花塞应用。 **RS 产品代码：** 864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK 864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2 807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK 807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK 864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2 864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220 864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK 864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220 864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK 864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2 ### 注所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。### 标准AEC-Q101### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGB3040G2-F085C: IGBT，400V，26A，1.35V，300mJ，D2PAKEcoSPARK II，N 沟道点火

ON Semiconductor FGB3040G2_F085 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=400 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装