FGH40T65UPD 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 267 W, 650 V, TO-247AB, 3 引脚

IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGH40T65S 系列 650 V 40 A 法兰安装 场截止 Trench IGBT - TO-247-3

FGH40T65SHD: IGBT，650 V，40A，场截止沟槽

IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

ON Semiconductor FGH40T65UPD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGH40T65SHDF: IGBT，650 V，40A，场截止沟槽