￥ 8.296

FGL40N120ANTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-264-3

描述:

单晶体管, IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FGL40N120ANTU 数据手册 (9 页)

FGL40N120ANTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

针脚数

3 Position

功耗

500 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

额定功率(Max)

500 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500000 mW

查看数据手册 >

FGL40N120ANTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FGL40N120ANTU 符合标准

FGL40N120ANTU 海关信息

FGL40N120ANTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.65 MByte

FGL40N120ANTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.52 MByte

FGL40N120ANTU 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.47 MByte

FGL40N120ANTU 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

FGL40N120 数据手册

FGL40N120ANDTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGL40N120ANDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGL40N120AND 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FGL40N120ANTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

单晶体管, IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 引脚

FGL40N120ANTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL40N120ANTU 单晶体管, IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 引脚

FGL40N120AN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FGL40N120ANDTU 数据手册

Freescale（飞思卡尔）