￥ 3.64

FGL60N100BNTDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-264-3

描述:

Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FGL60N100BNTDTU 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

FGL60N100BNTDTU 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FGL60N100BNTDTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

功耗

180000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1000 V

反向恢复时间

1.2 µs

额定功率(Max)

180 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180000 mW

查看数据手册 >

FGL60N100BNTDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FGL60N100BNTDTU 符合标准

FGL60N100BNTDTU 海关信息

FGL60N100BNTDTU 概述

FGL60N100BNTDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.37 MByte

FGL60N100BNTDTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.57 MByte

FGL60N100 数据手册

FGL60N100BNTD 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚

FGL60N100BNTD 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FGL60N100BNTD 管装

FGL60N100BNTDTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGL60N100BNTDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

FGL60N100DTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FGL60N100D 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

IGBT的电气特性 Electrical Characteristics of IGBT

FGL60N100BNTDTU_NL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FGL60N100BNTD_NL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号