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FGP20N60UFDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor FGP20N60UFDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FGP20N60UFDTU 数据手册

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FGP20N60UFDTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

功耗

165 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

35 ns

额定功率(Max)

165 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

165 W

FGP20N60UFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGP20N60UFDTU 符合标准

FGP20N60UFDTU 海关信息

FGP20N60UFDTU 概述

FGP20N60UFDTU 数据手册

FGP20N60UFDTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.42 MByte

FGP20N60UFDTU 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

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FGP20N60UFDTU 产品修订记录

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