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FGP5N60UFDTU
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FGP5N60UFDTU 数据手册 (4 页)
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FGP5N60UFDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
81000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
30 ns
额定功率(Max)
81 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
81000 mW

FGP5N60UFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGP5N60UFDTU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.68 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte

FGP5N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGP5N60LS  单晶体管, IGBT, 通用, 10 A, 600 V, 83 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 通用, 10 A, 600 V, 83 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
600V , 5A场截止IGBT 600V, 5A Field Stop IGBT
ON Semiconductor(安森美)
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