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FGPF10N60UNDF 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

ON Semiconductor FGPF10N60UNDF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220F封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FGPF10N60UNDF 数据手册 (9 页)

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FGPF10N60UNDF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

42000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

37.7 ns

额定功率(Max)

42 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42 W

FGPF10N60UNDF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.9 mm

高度

16.07 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGPF10N60UNDF 符合标准

FGPF10N60UNDF 海关信息

FGPF10N60UNDF 概述

FGPF10N60UNDF 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

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