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FJE3303H2TU
0.54
FJE3303H2TU 数据手册 (7 页)
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FJE3303H2TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
最小电流放大倍数
14 @500mA, 2V
额定功率(Max)
20 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
20 W

FJE3303H2TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
高度
11 mm
工作温度
150℃ (TJ)

FJE3303H2TU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

FJE3303H2 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Applications
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJE3303H2TU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:5, 4 MHz, 3引脚 TO-126封装
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