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FJE3303TU
0.133
FJE3303TU 数据手册 (6 页)
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FJE3303TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
1.50 A
封装
TO-126-3
极性
NPN
功耗
20.0 W
连续漏极电流(Ids)
1.50 A
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
集电极最大允许电流
1.5A
最小电流放大倍数
8 @500mA, 2V
额定功率(Max)
20 W

FJE3303TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

FJE3303TU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.13 MByte

FJE3303 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Applications
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJE3303H1TU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:8, 0.1 MHz, 3引脚 TO-126封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJE3303H2TU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:5, 4 MHz, 3引脚 TO-126封装
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Applications
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Applications
Freescale(飞思卡尔)
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