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FJN4305RBU
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FJN4305RBU 数据手册 (10 页)
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FJN4305RBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
30 @5mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
200 MHz
耗散功率(Max)
300 mW

FJN4305RBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
高度
5.33 mm

FJN4305RBU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.09 MByte

FJN4305 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJN4305RTA PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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