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FJP5027TU
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FJP5027TU 数据手册 (16 页)
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FJP5027TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
击穿电压(集电极-发射极)
800 V
最小电流放大倍数
10 @200mA, 5V
额定功率(Max)
50 W

FJP5027TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
150℃ (TJ)

FJP5027TU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte

FJP5027 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高电压和高可靠性 High Voltage and High Reliability
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJP5027RTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=800 V, HFE:8, 15 MHz, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, NPN, 800 V, 15 MHz, 50 W, 3 A, 20 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
高速开关 High Speed Switching
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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