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FODM217D
0.224
FODM217D 数据手册 (12 页)
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FODM217D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
MFP-4
上升/下降时间
2µs, 3µs
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
正向电压
1.2 V
功耗
100 mW
上升时间
2 µs
隔离电压
3.75 kV
正向电流
50 mA
输出电压(Max)
80 V
正向电压(Max)
1.4 V
正向电流(Max)
50 mA
下降时间
3 µs
下降时间(Max)
18 µs
上升时间(Max)
18 µs
工作温度(Max)
110 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70 mW

FODM217D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 110℃

FODM217D 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.8 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.43 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.29 MByte

FODM217 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
光电耦合器, 1通道, SOP, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 300 %
ON Semiconductor(安森美)
FODM217A: 单通道、DC 检测输入、光电晶体管光耦合器,采用半间距微型 4 针封装
ON Semiconductor(安森美)
光电耦合器, 1通道, SOP, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 80 %
ON Semiconductor(安森美)
FODM217D: 单通道、DC 检测输入、光电晶体管光耦合器,采用半间距微型 4 针封装
ON Semiconductor(安森美)
光电耦合器, 1通道, SOP, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 300 %
ON Semiconductor(安森美)
光电耦合器, 1通道, SOP, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 200 %
ON Semiconductor(安森美)
FODM217B: 单沟道,直流感应输入,光电晶体管光耦合器,半间距微型扁平 4 引脚封装
ON Semiconductor(安森美)
光电耦合器, 1通道, SOP, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 80 %
ON Semiconductor(安森美)
FODM217C: 单沟道,直流感应输入,光电晶体管光耦合器,半间距微型扁平 4 引脚封装
ON Semiconductor(安森美)
FODM217A: 单通道、DC 检测输入、光电晶体管光耦合器,采用半间距微型 4 针封装
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