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FP25R12KT4B11BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

Module

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FP25R12KT4B11BOSA1 数据手册 (1 页)

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FP25R12KT4B11BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

Module

功耗

105 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

1.45nF @25V

额定功率(Max)

160 W

工作温度(Max)

150 ℃

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FP25R12KT4B11BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FP25R12KT4B11BOSA1 符合标准

FP25R12KT4B11BOSA1 概述

FP25R12KT4B11BOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

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FP25R12KT4B11 数据手册

FP25R12KT4_B11 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 模块 LOW POWER ECONO

FP25R12KT4B11BOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module

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