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FP50R07N2E4BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

AG-ECONO2-4

描述:

Infineon FP50R07N2E4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 70 A, Vce=650 V, 31引脚 ECONO2封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FP50R07N2E4BOSA1 数据手册 (1 页)

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FP50R07N2E4BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

31 Pin

封装

AG-ECONO2-4

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

输入电容值(Cies)

3.1nF @25V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

190 W

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FP50R07N2E4BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

长度

107.5 mm

宽度

45 mm

高度

17 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FP50R07N2E4BOSA1 符合标准

FP50R07N2E4BOSA1 概述

FP50R07N2E4BOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.03 MByte

FP50R07N2E4BOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FP50R07N2E4BOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.03 MByte

FP50R07N2E4BOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FP50R07N2E4 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FP50R07N2E4_B11 数据手册

Infineon（英飞凌）

FP50R07N2E4B11BOSA1 数据手册

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