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FP75R12KT4B15BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

ECONO3-3

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FP75R12KT4B15BOSA1 数据手册 (4 页)

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FP75R12KT4B15BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

35 Pin

封装

ECONO3-3

功耗

385 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

4.3nF @25V

额定功率(Max)

385 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

385000 mW

FP75R12KT4B15BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃

FP75R12KT4B15BOSA1 符合标准

FP75R12KT4B15BOSA1 概述

FP75R12KT4B15BOSA1 数据手册

FP75R12KT4B15BOSA1 其他数据使用手册

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FP75R12KT4B15BOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FP75R12KT4B15BOSA1 产品描述及参数

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.07 MByte

FP75R12KT4B15BOSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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