￥ 1.97

FQA10N60C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQA10N60C 数据手册 (8 页)

FQA10N60C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

600 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-3-3

漏源极电阻

730 mΩ

极性

N-Channel

功耗

192 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

上升时间

69 ns

输入电容值(Ciss)

2040pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

192 W

下降时间

77 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

192W (Tc)

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FQA10N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

16.2 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQA10N60C 符合标准

FQA10N60C 海关信息

FQA10N60C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.65 MByte

FQA10N60C 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.61 MByte

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