￥ 2.761

FQA10N80C-F109 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQA10N80C-F109 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQA10N80C-F109 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.93 Ω

功耗

240 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

上升时间

130 ns

输入电容值(Ciss)

2150pF @25V(Vds)

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

240000 mW

FQA10N80C-F109 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

FQA10N80C-F109 符合标准

FQA10N80C-F109 概述

FQA10N80C-F109 数据手册

FQA10N80C-F109 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.97 MByte

FQA10N80C-F109 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 3.05 MByte

FQA10N80 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

FQA10N80 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQA10N80C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

FQA10N80C-F109 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V

FQA10N80C_F109 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA10N80C_F109 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V

FQA10N80C_F109 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQA10N80_F109 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

FQA10N80C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQA10N80C-F109 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQA10N80C_06 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号