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FQA10N80_F109 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQA10N80_F109 数据手册 (8 页)

FQA10N80_F109 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

极性

N-CH

功耗

240 W

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

9.8A

上升时间

115 ns

输入电容值(Ciss)

2700pF @25V(Vds)

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

240W (Tc)

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FQA10N80_F109 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

16.2 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQA10N80_F109 符合标准

FQA10N80_F109 海关信息

FQA10N80_F109 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.8 MByte

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