FQA13N80-F109 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装

12.6 A， 800 V ， RDS （ ON） = 750英里© （最大） @ VGS = 10 VID = 6.8 12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 mΩ (Max.) @ VGS = 10 VID = 6.8 A