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FQA28N50F
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FQA28N50F 数据手册 (8 页)
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FQA28N50F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
28.4 A
封装
TO-3-3
漏源极电阻
160 mΩ
极性
N-Channel
功耗
310 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
28.4 A
上升时间
290 ns
输入电容值(Ciss)
5600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
310 W
下降时间
175 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310W (Tc)

FQA28N50F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
16.2 mm
宽度
5 mm
高度
20.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQA28N50F 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.67 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.46 MByte

FQA28N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FQA28N50 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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