￥ 1.277

FQA90N10V2 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQA90N10V2 数据手册 (8 页)

FQA90N10V2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

10 mΩ

极性

N-Channel

功耗

330 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

105 A

上升时间

492 ns

输入电容值(Ciss)

6150pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

330 W

下降时间

355 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

330W (Tc)

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FQA90N10V2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

16.2 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FQA90N10V2 符合标准

FQA90N10V2 海关信息

FQA90N10V2 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.99 MByte

FQA90N10V2 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 1.02 MByte

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