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FQB11N40CTM
0.312
FQB11N40CTM 数据手册 (8 页)
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FQB11N40CTM 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
功耗
135 W
漏源极电压(Vds)
400 V
上升时间
89 ns
输入电容值(Ciss)
840pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
135 W
下降时间
81 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
135000 mW

FQB11N40CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FQB11N40CTM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.94 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.01 MByte

FQB11N40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
FQB11N40C 系列 400 V 0.5 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - D2PAK-3
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 400V 11.4A
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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