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FQB12N60TM
0.438
FQB12N60TM 数据手册
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FQB12N60TM 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
3.13 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
10.5A
上升时间
115 ns
下降时间
85 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FQB12N60TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm

FQB12N60TM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.61 MByte

FQB12N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 600V 12A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 600V 10.5A
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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