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FQB12P20
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FQB12P20 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.61 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 1.02 MByte

FQB12 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB12P20TM  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mA
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 600V 12A
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
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