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FQB22P10TM
1.17

FQB22P10TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-22.0 A
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
96 mΩ
极性
P-Channel
功耗
3.75 W
漏源极电压(Vds)
100 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
15.6 mA, -22.0 A
上升时间
170 ns
输入电容值(Ciss)
1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.75 W
下降时间
110 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.75W (Ta), 125W (Tc)

FQB22P10TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQB22P10TM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

FQB22P10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB22P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -22 A, -100 V, 96 mohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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