FQB47P06 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB47P06TM_AM002  晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V

ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。