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FQB5N90TM 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 900 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FQB5N90TM 数据手册 (10 页)

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FQB5N90TM 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.8 Ω

功耗

3.13 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

900 V

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.13 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3130 mW

FQB5N90TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

FQB5N90TM 符合标准

FQB5N90TM 概述

FQB5N90TM 数据手册

FQB5N90TM 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.9 MByte

FQB5N90TM 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.87 MByte

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QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

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