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FQB70N08TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

FQB70N08 / FQI70N08 80V N沟道MOSFET FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQB70N08TM 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

FQB70N08TM 数据手册 (9 页)

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FQB70N08TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

80.0 V

额定电流

70.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

17.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.75 W

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80.0 V

栅源击穿电压

±25.0 V

连续漏极电流(Ids)

70.0 A

上升时间

300 ns

输入电容值(Ciss)

2700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.75 W

下降时间

145 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.75W (Ta), 155W (Tc)

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FQB70N08TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FQB70N08TM 符合标准

FQB70N08TM 海关信息