￥ 0.493

FQB7N65CTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

650V N沟道MOSFET 650V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQB7N65CTM 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQB7N65CTM 数据手册 (8 页)

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FQB7N65CTM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

7.00 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

173 W

输入电容

1.24 nF

栅电荷

36.0 nC

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

1245pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

173 W

下降时间

55 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

173W (Tc)

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FQB7N65CTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQB7N65CTM 符合标准

FQB7N65CTM 海关信息